光伏晶圓表面形貌測(cè)量

發(fā)布日期：2021-12-17 　瀏覽次數(shù)：1542

光伏晶圓表面形貌測(cè)量（CL1+MG140）

晶圓是制作IC最基礎(chǔ)的半導(dǎo)體材料，晶圓的質(zhì)量將直接決定IC成品的質(zhì)量好壞。由于工藝水平不同，晶圓可能會(huì)在生產(chǎn)階段產(chǎn)生冗余物、晶體缺陷和機(jī)械損傷三種缺陷。

因此，高效準(zhǔn)確的檢測(cè)設(shè)備，是提供高可靠性晶圓材料的保證。相較于傳統(tǒng)人工檢測(cè)而言，機(jī)器視覺檢測(cè)具有精度高、效率高、可連續(xù)性以及非接觸式避免污染等優(yōu)勢(shì)。

隨著集成電路的關(guān)鍵尺寸變得越來越小，缺陷的尺寸也相應(yīng)有所縮小。同時(shí)，大規(guī)模晶圓生產(chǎn)對(duì)于檢測(cè)速度有著較高要求。凌云視覺方案重點(diǎn)推薦大靶面高速線掃描相機(jī)，搭配大靶面專用放大倍率鏡頭。為了突出晶圓表面細(xì)微的瑕疵，還需要搭配高亮度同軸線掃描光源。