半導(dǎo)體材料種類豐富多樣，廣泛應(yīng)用于晶圓制造和封裝工藝

半導(dǎo)體材料種類豐富多樣，廣泛應(yīng)用于晶圓制造和封裝工藝

半導(dǎo)體材料是制作晶體管、集成電路、電力電 子器件、光電子器件的重要材料。按照工藝的不同，可分為晶圓制造材料和封裝材料。其中，晶圓制造材料主要包括硅片、特種氣體、掩膜版、光刻膠、 光刻膠配套材料、(通用)濕電子化學(xué)品、靶材、 CMP 拋光材料等。封裝材料主要有封裝基板、引線框架、鍵合絲、包封材料、陶瓷基板、芯片粘接材料等。
按照代際, 可分為第一代、第二代和第三代。

1) 第一代半導(dǎo)體材料主要是指硅(Si)、錯元素(Ge) 半導(dǎo)體材料。主要用于制造集成電路，并廣泛應(yīng)用于手機(jī)、電腦、平板、可穿戴、電視、航空航天以及新能源車、光伏等產(chǎn)業(yè)。

2) 第二代半導(dǎo)體材料主要是指化合物半導(dǎo)體材料，如碑化#(GaAs)、錦化鈕(InSb);三元化合物半導(dǎo)體，如GaAsAl、GaAsP; 還有一些固溶體半導(dǎo)體，如Ge-Si、GaAs-GaP 玻璃半導(dǎo)體(又稱非晶態(tài)半導(dǎo)體)，如非晶硅、玻璃態(tài)氧化物半導(dǎo)體;有機(jī)半導(dǎo)體，如獻(xiàn)菁、獻(xiàn)菁銅鋼、輩丙睛等。主要用于制作高速、高頻、大功率以及發(fā)光電子器件，是制作高性能微波、毫米波器件及發(fā)光器件的優(yōu)良材料，廣泛應(yīng)用于衛(wèi)星通訊、移動通訊、光通信和GPS 導(dǎo)航等領(lǐng)域。

3) 第三代半導(dǎo)體材料主要以碳化硅(SiC)、氨化#(GaN)、氧化鋅(ZnO)、金剛石、氨化鋁(AIN)為代表的寬禁帶(Eg>2.3eV)半導(dǎo)體材料。 主要應(yīng)用于半導(dǎo)體照明、電力電子器件、激光器和探測器等。相比于第一代、第二代半導(dǎo)體材料，第三代半導(dǎo)體材料禁帶寬度更寬，擊穿電場更高、熱導(dǎo)率更高、電子飽和速率更高、抗輻射能力更強(qiáng)，因而更適合子 制作高溫、高頻、抗福射及大功率器件，通常又被稱為寬禁帶半導(dǎo)體材料，也稱為高溫半導(dǎo)體材料。整體而言，全球半導(dǎo)體依然以硅材料為主，目前 95%以上的半導(dǎo)體器件和99%以上的集成電路都是由硅材料制作。

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈：

晶圈制造材料中，硅片為晶圓制造基底材料;光刻膠用于圖形轉(zhuǎn)移;電子特氣用于氧化、還原、除雜;拋光材料用于實(shí)現(xiàn)平坦化。封裝材料中，封裝基板與引線框架起到保護(hù)芯片、支撐芯片、連接芯片與PCB 的作用，封裝基板還具有散熱功能;鍵合絲則用于連接芯片和引線框架。

半導(dǎo)體材料主要細(xì)分產(chǎn)品情況：

根據(jù)SEMI數(shù)據(jù)，2020年全球晶圓制造材料中，硅片占比最高，為 35%;電子氣體排名第2,占比 13%;掩膜版排名第3，占比12%，光刻膠占比 6%;光刻膠配套材料占比8%;濕電子化學(xué)品占比 7%; CMP 拋光材料占比6%:靶材占比 2%。

2019年全球封裝材料中，封裝基板占比最高，為48%:引線框架、鍵合絲、包封材料、陶瓷基板、芯片粘接材料分列第2-6名，占比分別為15%、15%、10%、6%和3%。

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